IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發展為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、 UPS 及逆變焊機當中。

IGBT模塊具有節能，穩定的優點，是能量轉換和傳輸的核心器件。因此，它也被稱為市場上的電子設備的CPU。特別是當前環保概念普遍存在，越來越受到市場的認可，更多的是[敏感詞]戰略性新興產業布局，如軌道交通，智能電網，航空航天和新能源。目前的檢測方法很多，但越來越受到市場青睞的當屬X-RAY檢測方式，其采用X光直接穿透產品表面，直接透視產品內部結構，通過對產品內部結構的分析來快速鎖定缺陷位置與受損面積尺寸。

IGBT中最常見的缺陷是氣隙和鍵合喪失，X射線成像能夠成功探測焊料中的空隙。其他常見的缺陷包括陶瓷筏的翹曲或傾斜（兩者都會改變熱流并使芯片破裂）以及芯片下方焊料中的孔隙率。可以在封裝之前或之后通過X射線成像檢查IGBT模塊。如果在封裝前對它們進行了成像檢測，則有問題的部件可以再次維修。

X射線檢測的[敏感詞]優勢在于檢測結果直觀，通過圖像展現IGBT內部的缺陷，軟件自動識別判定更是提高了X射線檢測的準確率，降低了人工的誤判率，在IGBT生產制造過程中既保證了產品質量又在研發設計階段提供了可靠的改進依據。